Formuleringin fyri grovar, miðal og fínar SiC-partiklar skal vera 5:1:4. Svart SiC verður alment valt sum rávøra til framleiðslu av silikonkarbidmúrsteinum; evnafrøðiliga samansetingin er soleiðis: SiC 98,0%, frítt C 0,5%, Fe 0,2%, og frítt SiO2 0,6%. Framleiðslugongdirnar eru ymiskar alt eftir bindingarháttinum. Stuttar lýsingar av tilgongdunum fyri ymiskar bindingarhættir eru hesar:
(1) Silikonnitrid-bundnir silikonkarbidmúrsteinar: Grønir kroppar, sum eru myndaðir úr grovum, miðal og fínum SiC-partiklum og fínum silikonpulvri, verða eldir í einum reinum N2-atmosferi við 1370 stigum . Hetta gevur ein múrstein við -SiC beinagrind og - og -Si3N4 matrix. Smáar nøgdir av leivdarsilikon og SiO2 eru eftir í matrix; relativa innihaldið í hesum komponentum er ymiskt eftir framleiðara.
(2) Silikonkarbidmúrsteinar: SiC, silikonpulvur og kolpulvur verða blandað og stødd eftir einum ávísum lutfalli, síðani eld við 1400 stigum í reducerandi lofthavi. Í flestu førum verður skotið við múrsteinunum, sum eru grivnir í kolvetni. Undir skotinum verður ein múrsteinur við -SiC beinagrind og fín-kornaðum -SiC matrixi framleiddur. -SiC verður myndað gjøgnum reaktiónina av fínum silikonpulvri við fínum kolpulvri undir brenningini; henda vøran inniheldur eisini smáar nøgdir av leivdum av silikon og kolvetni.
(3) Silikonoxynitrid-bundnir silikonkarbidmúrsteinar: Tá ið bólkurin til hesar múrsteinar verður fyrireikaður, er lutfallið av fínum silikonpulvri, sum verður nýtt, lægri enn tað av silikonkarbidinum.